Силовые полупроводниковые модули
Тиристорный модуль Semikron SKKT162/16E 250 А 1600 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
Тиристорный модуль
Количество ключей
2
Топология
2 диода
Обратное напряжение
1600 В
Номинальный ток коллектора
250 А
Темература хранения
-40 - +150 °C
Диапазон рабочих температур
-40 - +125 ..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:8
-
Загрузить:
Роз.: 1801.25 грн.
- от 10шт: 1716.65 грн.
Тиристорный модуль Semikron SKKT250/16E 250 А 1600 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
Тиристорный модуль
Количество ключей
2
Топология
2 тиристора
Обратное напряжение
1600 В
Номинальный ток коллектора
250 А
Темература хранения
..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:12
-
Загрузить:
Роз.: 9504.05 грн.
- от 10шт: 0.00 грн.
Тиристорный модуль Semikron SKKT273/16 274 А 1600 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
Тиристорный модуль
Количество ключей
2
Топология
2 диода
Обратное напряжение
1600 В
Номинальный ток коллектора
274 А
Темература хранения
-4..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:93
-
Загрузить:
Роз.: 5371.00 грн.
- от 10шт: 5371.00 грн.
Тиристорный модуль Semikron SKKT57/16E 50 А 1600 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
Тиристорный модуль
Количество ключей
-
Топология
2 тиристора
Импульсное обратное напряжение
1600 В
Средний ток в открытом состоянии
50 А
Диапазон..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:12
-
Загрузить:
Роз.: 1853.65 грн.
- от 10шт: 1853.65 грн.
Тиристорный модуль таблеточный Semikron SKT340/18E 700 А 1800 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
Тиристорный модуль
Количество ключей
2
Топология
Тиристор
Обратное напряжение
1800 В
Номинальный ток коллектора
700 А
Темература хранения
-2..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:24
-
Загрузить:
Роз.: 4359.02 грн.
- от 10шт: 0.00 грн.
IGBT модуль Infineon FS25R12W1T7B11BOMA1 25 А 1200 В
Технические характеристики:
Производитель
Infineon
Тип модуля
IGBT модуль
Количество ключей
7
Топология
3-фазный мост IGBT
Обратное напряжение
1200 В
Номинальный ток коллектора
25 А
Темература хранения
-40 - +175 °C
Диапазон рабочих температур
-40 - +1..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:0
Роз.: 1877.66 грн.
- от 10шт: 1788.14 грн.
IGBT модуль Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 А 1200 В
Технические характеристики:
Производитель
Infineon
Тип модуля
IGBT модуль
Количество ключей
7
Топология
3-фазный мост IGBT
Обратное напряжение
1200 В
Номинальный ток коллектора
50 А
Темература хранения
-40 - +175 °C
Диапазон рабочих температур
-40 - +1..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:0
Роз.: 3924.54 грн.
- от 10шт: 3738.96 грн.
IGBT модуль Infineon FS75R12W2T7BPSA1 75 А 1200 В
Технические характеристики:
Производитель
Infineon
Тип модуля
IGBT модуль
Количество ключей
7
Топология
3-фазный мост IGBT
Обратное напряжение
1200 В
Номинальный ток коллектора
75 А
Темература хранения
..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:0
Роз.: 2347.08 грн.
- от 10шт: 2235.19 грн.
IGBT модуль Semikron SKiiP 24NAB12T4V1 35 А 1200 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
IGBT модуль
Количество ключей
7
Топология
3-фазный мост IGBT
Обратное напряжение
1200 В
Номинальный ток коллектора
35 А
Темература хранения
-40 - +125 °C
Диапазон рабочих температур
-40 - +1..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:0
Роз.: 15010.42 грн.
- от 10шт: 0.00 грн.
IGBT модуль Semikron SKM145GB066D 150 А 600 В
Технические характеристики:
Производитель
Semikron
Тип модуля
IGBT модуль
Количество ключей
2
Топология
Полумост
Обратное напряжение
600 В
Номинальный ток коллектора
150 А
Темература хранения
-40 - +175..
-
Категория:
-
Производитель:
-
Количество:0
-
Загрузить:
Роз.: 3553.38 грн.
- от 10шт: 0.00 грн.

Позвонить
RU
UA








